西安紫光国芯半导体有限公司李金鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114743929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210332324.X,技术领域涉及:H01L21/768;该发明授权堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法是由李金鑫;王斌;侯俊文设计研发完成,并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法。该堆叠半导体芯片包括:层叠设置的至少两层晶粒、修复层以及导体;其中,至少两层晶粒中的至少一层晶粒具有贯通孔;修复层粘附于贯通孔的内侧壁以平整化内侧壁,修复层包括物理团聚而成的导电颗粒;导体形成于贯通孔的修复层之外的空间内,以将至少两层晶粒电连通。该堆叠半导体芯片的导电性能较好。
本发明授权堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法在权利要求书中公布了:1.一种堆叠半导体芯片,其特征在于,包括: 层叠设置的至少两层晶粒;所述至少两层晶粒中的至少一层所述晶粒具有贯通孔; 修复层,粘附于所述贯通孔的内侧壁以平整化所述内侧壁,所述修复层包括物理团聚而成的导电颗粒,所述修复层在所述贯通孔内形成一中空; 导体,形成于所述中空内,以将所述至少两层晶粒电连通。
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