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龙图腾网获悉西北大学申请的专利基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114812805B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459823.5，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法是由周译玄;刘玉琪;卢春辉;徐新龙;黄媛媛设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光电探测领域，具体而言，涉及一种基于SnS2MoS2的PEC型光电探测器及SnS2MoS2异质结的制备方法。基于SnS2MoS2的PEC型光电探测器包括电解质槽、参比电极、工作电极、对电极，参比电极、工作电极、对电极的固定端均通过卡孔固定在电解质槽的盖子上，自由端均悬于电解质槽内，且不与电解质槽的底部接触，工作电极包括导电基底、MoS2层、SnS2层，MoS2层与导电基底接触，SnS2层设置于MoS2层远离导电基底的一侧，即工作电极的工作物质为SnS2MoS2异质结。SnS2MoS2异质结的制备步骤如下：S1，使用化学气相沉积法在导电基底上制备MoS2纳米片；S2，以步骤S1得到的生长有MoS2纳米片的导电基底为沉积基底生长的SnS2纳米片。

本发明授权基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SnS2MoS2的PEC型光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括电解质槽、参比电极、工作电极、对电极，所述参比电极、所述工作电极、所述对电极的固定端均通过卡孔固定在所述电解质槽的盖子上，所述参比电极、所述工作电极、所述对电极的自由端均悬于所述电解质槽内，所述参比电极、所述工作电极、所述对电极的自由端均不与所述电解质槽的底部接触，所述工作电极包括导电基底、MoS2层、SnS2层，所述MoS2层与所述导电基底接触，所述SnS2层设置于所述MoS2层远离所述导电基底的一侧，即所述工作电极的工作物质为SnS2MoS2异质结，所述SnS2层中的SnS2纳米片所在平面与所述MoS2层中的MoS2纳米片所在平面垂直，其中，MoS2纳米片的尺寸为10-30μm，MoS2纳米片的覆盖率为60-70%； 所述SnS2MoS2异质结通过如下步骤制备得到： S1，使用化学气相沉积法在导电基底上制备MoS2纳米片； 以硫粉和MoO3粉末为前驱体，在所述导电基底上生长所述MoS2纳米片，生长温度为680℃，生长压强为450Pa； S2，以步骤S1得到的生长有MoS2纳米片的导电基底为沉积基底生长的SnS2纳米片； 以硫粉和SnCl4·5H2O粉末为前驱体，在所述步骤S1得到的生长有所述MoS2纳米片的所述导电基底上生长所述SnS2纳米片，生长温度为450℃； 所述步骤S1和所述步骤S2生长过程中均通入氩气直至沉积反应结束，生长过程中真空泵均处于工作状态。

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