深圳中科飞测科技股份有限公司陈鲁获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳中科飞测科技股份有限公司申请的专利承载装置、半导体处理设备及承载装置的使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110112439.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权承载装置、半导体处理设备及承载装置的使用方法是由陈鲁;范铎;张鹏斌;张嵩设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本承载装置、半导体处理设备及承载装置的使用方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种承载装置、半导体处理设备及承载装置的使用方法。该承载装置包括承载件及调整件。承载件设有凹槽，凹槽的侧壁包括承载面，承载面设有第一吸附单元，第一吸附单元用于将工件的第一区吸附于承载面，凹槽与工件的第二区对应，凹槽的底壁与工件的第二区间隔；调整件包括第二吸附单元，第二吸附单元用于吸附工件以使工件的平整度在预设范围内，调整件能够移动以使工件夹设在承载件与调整件之间。本申请的承载装置中，承载件的第一吸附单元吸附工件的第一区，并通过调整件的第二吸附单元对工件进行预平整处理，保证后续处理对工件平整度的需求，进而保证半导体工件的处理精度。
本发明授权承载装置、半导体处理设备及承载装置的使用方法在权利要求书中公布了：1.一种承载装置，其特征在于，包括： 承载件，所述承载件设有凹槽，所述凹槽的侧壁包括承载面，所述承载面设有第一吸附单元，所述第一吸附单元用于将工件的第一区吸附于所述承载面，所述凹槽与所述工件的第二区对应，所述凹槽的底壁与所述工件的第二区间隔；及 调整件，所述调整件包括第二吸附单元，所述第二吸附单元用于吸附所述工件以使所述工件的平整度在预设范围内，所述调整件能够移动以使所述工件夹设在所述承载件与所述调整件之间。
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