长江存储科技有限责任公司卢峰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210594542.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统是由卢峰;张磊;霍宗亮;周文斌;阳涵;黄攀;徐文祥;夏正亮设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的牺牲层和电介质层；去除堆叠层中的牺牲层，在去除牺牲层之后所形成的空隙中填充导电材料以形成栅极层；以及形成多个接触孔，每个接触孔贯穿堆叠层中的若干层而分别到达各自预定深度的栅极层。本申请的存储器器件的制造方法通过将堆叠结构中的刻蚀选择比较低的牺牲层‑电介质层替换为刻蚀选择比较高的栅极层‑电介质层，然后在通过刻蚀堆叠层中的栅极层‑电介质层获得准确达各自预定深度栅极层的多个开口。
本发明授权存储器器件的制造方法、存储器器件和存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的牺牲层和电介质层； 去除所述堆叠层中的所述牺牲层，在去除所述牺牲层之后所形成的空隙中填充导电材料以形成栅极层，所述栅极层与所述电介质层的刻蚀选择比大于所述牺牲层与所述电介质层的刻蚀选择比；以及 在形成所述栅极层之后，形成多个接触孔，每个所述接触孔贯穿所述堆叠层中的若干层而分别到达各自预定深度的所述栅极层。
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