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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811138.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由下村纱矢;加藤浩朗;西口俊史设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式主要涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、导电部、第一绝缘部、栅极电极、第二绝缘部以及第三绝缘部。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间。导电部具有第一导电部和设置于第二电极侧且具有比第一导电部小的杂质浓度的第二导电部。第一绝缘部设置于第一导电部与第一半导体区域之间。栅极电极设置于第二半导体区域与第二导电部之间。第二绝缘部设置于第二导电部与栅极电极之间。第三绝缘部设置于第二半导体区域与栅极电极之间。

本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一电极； 第二电极； 第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，与所述第一电极电连接； 第二导电型的多个第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间； 第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接； 导电部，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包括：第一导电部，在从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向上设置于所述导电部的所述第一电极侧；和第二导电部，在所述第一方向上设置于所述导电部的所述第二电极侧，在与所述第一方向相交的第二方向上位于所述第二半导体区域之间，且具有比所述第一导电部的杂质浓度小的杂质浓度； 第一绝缘部，设置于所述第一导电部与所述第一半导体区域之间； 栅极电极，在所述第二方向上设置于所述第二半导体区域与所述第二导电部之间； 第二绝缘部，设置于所述第二导电部与所述栅极电极之间；以及 第三绝缘部，设置于所述第二半导体区域与所述栅极电极之间。

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