铠侠股份有限公司野田光太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110675281.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法是由野田光太郎;野田恭子;星野健;津端修一设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供能够谋求电特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1存储层和第1绝缘膜。上述第1绝缘膜沿着上述第2布线的一部分表面及上述第1存储层的表面而设置。上述第1绝缘膜由Si、N及O形成。在上述第3方向上，将上述第1存储层的上述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置。将上述第2布线的与上述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置。上述第1位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比NO为1.0以上。上述第2位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比NO低于1.0。
本发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其具备： 第1布线，该第1布线沿第1方向延伸； 第2布线，该第2布线沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上设置于与所述第1布线不同的位置； 第1存储层，该第1存储层在所述第3方向上设置于所述第1布线与所述第2布线之间；和 第1绝缘膜，该第1绝缘膜沿着所述第2布线的一部分表面及所述第1存储层的表面而设置，其中， 所述第1绝缘膜由Si、N及O形成， 在所述第3方向上，将所述第1存储层的所述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置， 将所述第2布线的与所述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置时， 所述第1位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比NO为1.0以上， 所述第2位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比NO低于1.0。
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