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龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210775366.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法是由徐平;许孔祥;谈健设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，涉及LED芯片技术领域。该提升芯片可靠性的LED芯片制作方法包括以下步骤：提供芯片基层，在芯片基层上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，用于形成LED晶圆、半成品的制备、第一步的质检工作、切割处理、LED芯片外延层的形成、单颗LED芯片的电极制作、第二步的质检工作以及对质检合格的LED芯片进行包装入库，不合格的LED芯片作废处理。该提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，通过在制作过程中添加熏蒸液，能够保证加工出的LED芯片整体的耐热效果，其纳米醋、醋酸铜水溶液能够提升沉积SiON的硬度和耐热效果，从而能够保证LED芯片在使用过程中的耐热效果，从而起到提升LED芯片可靠性的效果。

本发明授权一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述LED芯片制作方法包括以下步骤： S1、提供芯片基层，在芯片基层上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，用于形成LED晶圆； S2、半成品的制备，沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、熏蒸处理、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、加热处理、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO2保护层，制得半成品； S3、第一步的质检工作，对加工后的半成品进行质检工作； S4、切割处理，根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理； S5、LED芯片外延层的形成，在衬底上形成LED芯片外延层； S6、单颗LED芯片的电极制作，形成多个单颗LED芯片的电极； S7、第二步的质检工作，对单颗LED芯片进行质检工作； S8、对质检合格的LED芯片进行包装入库，不合格的LED芯片作废处理； 其中，S2中熏蒸处理需对带有蒸镀ITO透明导电层的LED晶圆进行熏蒸加工，熏蒸液的温度为115-130摄氏度，所述熏蒸液由纳米醋、分散剂以及蒸馏水组成，所述蒸馏水的质量为熏蒸液总体质量的92％-95％； S3中进行第一步的质检工作，对S2中的半成品进行外观的检测，检测其外观是否有残损的部分，若无残损存在进行下一步制作；若存在的残损部分则对残损部分的LED晶圆进行绝缘处理，所述绝缘处理对LED晶圆残损部位进行绿油涂抹，后对绿油涂抹进行紫光灯固化； 所述S4中对衬底进行切割处理，采用的切割方式为微应力切割，并对带有标记喷漆区域的LED晶圆进行分拣，将分拣出带有标记喷漆区域的LED晶圆进行作废处理。

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