深圳清华大学研究院;清华大学于昭宽获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳清华大学研究院;清华大学申请的专利一种超滑片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115159438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210923356.7，技术领域涉及：B81B5/00；该发明授权一种超滑片及其制作方法是由于昭宽;何雨勍;黄金奖;马明;郑泉水设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超滑片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超滑片，涉及超滑领域，包括基底，所述基底包括预设层数的单晶二维材料层，所述预设层数不超过十层；与所述基底的上表面固定连接的岛盖。本申请中超滑片包括基底和岛盖，岛盖与基底固定连接，基底包括单晶二维材料层，基底的厚度很薄，单晶二维材料层的层数不超过十层，且基底具有优良的超滑性能，即摩擦力较小且具有无磨损性能，使得本申请中超滑片为基于具有超滑性能的基底的超滑结构，岛盖的材料可以为任意材料，单晶二维材料层的材料也可以为任意的二维材料，且本申请中超滑片结构简单，能够适用于大批量的加工和生产检测。此外，本申请还提供一种具有上述优点的超滑片制作方法。
本发明授权一种超滑片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超滑片，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括预设层数的单晶二维材料层，所述预设层数不超过十层； 与所述基底的上表面固定连接的岛盖； 所述岛盖远离所述基底的表面设置有转移部，以便于转移所述超滑片；转移部包括凸起； 所述岛盖包括至少一层导电层，当所述导电层的层数在两层及以上时，在远离所述基底的方向上，下一个所述导电层的尺寸小于或等于上一个所述导电层的尺寸。
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