广东中图半导体科技股份有限公司罗凯获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化衬底、制备方法和LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210944659.7，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种图形化衬底、制备方法和LED外延片是由罗凯;王子荣;康凯设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化衬底、制备方法和LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种图形化衬底、制备方法和LED外延片。其中，图形化衬底包括：衬底，衬底属于六方晶系晶体，六方晶系晶体包括11_23晶面；其中，衬底表面上形成有多个凸起微结构，凸起微结构包括多个侧面，凸起微结构的至少一个侧面为11_23晶面。由于外延材料在11_23晶面的生长速度较慢，通过本发明实施例提供的技术方案，能够降低外延材料在凸起微结构侧面的生长速度，同时避免外延材料在凸起微结构侧面形成较多晶体颗粒，减少在c面生长的晶粒与侧面生长的晶粒在合并过程中形成的缺陷和应力，进而提高外延材料的生长质量，提升LED外延片的内量子效率。
本发明授权一种图形化衬底、制备方法和LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种图形化衬底，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底属于六方晶系晶体，所述六方晶系晶体包括晶面； 所述衬底表面上形成有多个凸起微结构，所述凸起微结构包括多个侧面； 所述凸起微结构与所述衬底为一体结构；所述凸起微结构的底面图形的任意一条边的延伸方向，与所述衬底的晶向之间的夹角为30°，所述凸起微结构的所有侧面均为所述晶面，所述凸起微结构的所有侧面的法线与所述衬底表面的法线的夹角均为61.75°。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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