惠然科技有限公司崔战伟获国家专利权
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龙图腾网获悉惠然科技有限公司申请的专利半导体电子探测装置及扫描电子显微镜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210612876.6，技术领域涉及：H01J37/244；该发明授权半导体电子探测装置及扫描电子显微镜是由崔战伟;刘钧设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体电子探测装置及扫描电子显微镜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体电子探测装置及扫描电子显微镜，包括相互独立的两个以上的半导体探测单元，所述两个以上的半导体探测单元具有相同的探测面积，各个所述半导体探测单元的探测面在同一圆周内依次交替均匀分布。本发明提供的技术方案能够通过分时采集不同半导体探测单元接收到的电子信号，降低信号驻留时间对采样频率的制约，提高扫描电子显微镜的极限采样通量，实现采样效率的倍增。
本发明授权半导体电子探测装置及扫描电子显微镜在权利要求书中公布了：1.一种半导体电子探测装置，其特征在于，包括相互独立的两个以上的半导体探测单元，所述两个以上的半导体探测单元具有相同的探测面积，各个所述半导体探测单元的探测面在同一圆周内依次交替均匀分布； 所述相互独立的两个以上的半导体探测单元包括末级半导体探测单元和前级半导体探测单元，所述前级半导体探测单元的背面与所述末级半导体探测单元的正面贴合，所述前级半导体探测单元上均匀分布有若干镂空部； 前级半导体探测单元的探测面积与末级半导体探测单元的探测面积相同，前级半导体探测单元除去镂空部后的可用于探测的面积与镂空部的横截面积的总和相等。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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