广州诺尔光电科技有限公司亨利·H·阿达姆松获国家专利权
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龙图腾网获悉广州诺尔光电科技有限公司申请的专利斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661948.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。一种斜切GOI衬底，包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、斜切6°锗层。提供斜切6°硅衬底；在斜切6°硅衬底上依次形成低温锗层、高温锗层；在高温锗层上形成第一介质层，得到牺牲衬底；在硅衬底上形成第二介质层，得到支撑衬底；以第一介质层和第二介质层为键合面，将牺牲衬底和支撑衬底键合；然后依次去除斜切硅衬底、低温锗层。本发明解决了III‑V族材料外延生长中存在的反向畴、晶格失配大、热失配高等问题，提高了III‑V族材料外延材料的质量及以此为基础的短波红外焦平面像元等器件的响应度，降低了器件暗电流。
本发明授权斜切6°GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种短波红外焦平面像元，其特征在于，包括： 斜切6°GOI衬底：包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、斜切6°锗层；位于在所述斜切6°GOI衬底之上的GaAs缓冲层；所述GaAs缓冲层为采用低温-中温-高温三步法形成，且低温、中温、高温的范围分别为390～410℃、580～610℃、660～680℃； 位于所述GaAs缓冲层之上的PIN堆叠结构，且所述PIN堆叠结构采用III-V族材料，所述PIN堆叠结构为：N+-InGaAsI-InGaAsP+-InGaAs，N+-InPI-InGaAsP+-InP，P+-GaAsSbI-InGaAsN+-InP，N+-GaAsI-AlGaAsInGaAs多量子阱P+-GaAs，N+-GaAsI-AlGaAsInGaAs多量子点P+-GaAs； 以及分别与所述PIN堆叠结构中N层和P层实现欧姆接触的N型接触结构和P型接触结构。
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