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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210351165.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构是由杨延诚;M·G·卡斯托里纳;阮文征;D·阿德南;F·塔希尔;严俊荣设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构。一种集成电路晶体管器件包括：半导体衬底，提供漏极；第一掺杂区域，被掩埋在所述半导体衬底中提供主体；以及提供源极的所述半导体衬底中的第二掺杂区域。沟槽延伸到所述半导体衬底中并且穿过所述第一掺杂区域和第二掺杂区域。所述沟槽内的绝缘多栅区域包围多氧化物区域，所述多氧化物区域可以具有空隙夹杂物。所述多栅区域由所述多氧化物区域的相对侧的第一栅极凸角和第二栅极凸角形成。栅极触点对在每个沟槽处提供。所述栅极触点对包括：第一栅极触点，在与所述空隙横向偏移的位置处延伸到所述第一栅极凸角中；以及第二栅极触点，在与所述空隙横向偏移的位置处延伸到所述第二栅极凸角中。

本发明授权用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路晶体管器件，包括： 半导体衬底，提供漏极； 第一掺杂区域，被掩埋在所述半导体衬底中提供主体； 第二掺杂区域，在所述半导体衬底中提供源极，其中所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域相邻； 沟槽，延伸到所述半导体衬底中并且穿过所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域； 多晶硅氧化物区域，在所述沟槽内； 多栅区域，在所述沟槽内，所述多栅区域包括：所述多晶硅氧化物区域的第一侧上的第一栅极凸角以及所述多晶硅氧化物区域的与所述第一侧相对的第二侧上的第二栅极凸角； 绝缘层，在所述第一掺杂区域和沟槽上方延伸；以及 用于所述沟槽的栅极触点对，所述栅极触点对包括： 第一栅极触点，延伸穿过所述绝缘层并且到所述第一栅极凸角中，其中所述第一栅极触点具有第一长度和第一宽度，所述第一长度平行于所述沟槽的纵向方向延伸，并且所述第一长度大于垂直于所述第一长度的所述第一宽度；以及 第二栅极触点，延伸穿过所述绝缘层并且到所述第二栅极凸角中，其中所述第二栅极触点具有第二长度和第二宽度，所述第二长度平行于所述沟槽的纵向方向延伸，并且所述第二长度大于垂直于所述第二长度的所述第二宽度。

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