意法半导体(克洛尔2)公司F·居亚代获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利摄影传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115224063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210423811.7,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权摄影传感器是由F·居亚代设计研发完成,并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄影传感器在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及摄影传感器。半导体衬底包括感光点的矩阵。每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定。外围区直接围绕感光点矩阵延伸。外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介于在感光点矩阵边缘处的多晶硅密度与围绕外围区的多晶硅密度之间。
本发明授权摄影传感器在权利要求书中公布了:1.一种传感器,包括: 半导体衬底; 所述半导体衬底中的感光点的矩阵,所述矩阵的每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定;以及 所述半导体衬底的外围区,直接围绕感光点的所述矩阵延伸,所述外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点; 其中所述外围区中的多晶硅密度低于在感光点的所述矩阵的外边缘处的多晶硅密度,并且大于在围绕所述外围区的所述半导体衬底的范围中的多晶硅密度。
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