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龙图腾网获悉潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所申请的专利一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210713770.5，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器是由王宇飞;贾晓琴;周旭彦;张建心;宫凯;张润设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器在说明书摘要公布了：一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域，包括N型波导层、有源层以及P型波导层由下到上依次组成的激光器主体，所述P型波导层上设置有实现激光器表面多衍射级出光的狭槽结构，P型波导层的上表面设有隔离激光器表面和被测物质的单层石墨烯，单层石墨烯的上方放置有被测物质。本发明通过狭槽的结构参数宽度、间距、数量取随机值，且保持狭槽的宽度、间距大于1μm，实现了光在通过不同折射率的被测物质薄膜时损耗不同、远场强度峰值的大小不同。将峰值提取拟合出强度响应曲线，该曲线可作为判断被测物质的折射率的依据，并且大幅度降低激光器的成本和提高激光器产量的效果。

本发明授权一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种应用于折射率传感的表面随机狭槽半导体激光器，其特征在于：包括N型波导层1、有源层2以及P型波导层3由下到上依次组成的激光器主体，所述激光器主体满足以下结构与功能特征： 所述P型波导层3上设置有实现激光器表面多衍射级出光的狭槽结构5，所述狭槽结构5为沿横向并列开设的若干槽体，其特征尺寸宽度、间距、个数取随机值，特征尺寸大于1μm，适配普通光刻技术，无需二次外延与高分辨率光刻，深度一定； 所述P型波导层3的上表面完整覆盖单层石墨烯6，所述单层石墨烯6用于隔离激光器表面与被测物质7，避免被测物质7直接接触激光器导致的器件污染或性能衰减，且不影响光场与被测物质的耦合； 所述N型波导层1、有源层2与P型波导层3组合为三层平板波导结构，配合P型波导层3通过刻蚀形成的脊条结构，分别实现横向与侧向光场限制，确保多衍射级出光的稳定性； 所述激光器主体应用于折射率传感时，被测物质7放置于单层石墨烯6上方，通过狭槽结构5的多衍射级光场与被测物质7作用，不同折射率的被测物质使远场强度峰值产生差异化变化，峰值强度响应曲线作为判断被测物质折射率的依据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：261021 山东省潍坊市潍城区经济开发区工业一街195号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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