索尼半导体解决方案公司佐野文昭获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115278120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716560.1，技术领域涉及：H04N25/445；该发明授权光检测装置是由佐野文昭设计研发完成，并于2018-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本光检测装置在说明书摘要公布了：本技术涉及一种光检测装置，该光检测装置包括：以二维阵列布置的多个雪崩光电二极管，其包括第一和第二雪崩光电二极管；第一晶体管，与第一雪崩光电二极管的阳极或阴极连接；以及第二晶体管，与第二雪崩光电二极管的阳极或阴极连接；在第一模式，第一晶体管处于导通状态，第二晶体管处于导通状态；在第二模式，第一晶体管处于导通状态，第二晶体管处于截止状态，其中，光检测装置设置成在第一模式和第二模式之间进行切换，并且，其中，第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管位于二维阵列的相同行中。例如，本技术可以适用于图像传感器。
本发明授权光检测装置在权利要求书中公布了：1.一种光检测装置，包括： 以二维阵列布置的多个雪崩光电二极管，所述多个雪崩光电二极管包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管； 第一晶体管，所述第一晶体管与所述第一雪崩光电二极管的阳极或阴极连接；以及 第二晶体管，所述第二晶体管与所述第二雪崩光电二极管的阳极或阴极连接； 其中，在第一模式，所述第一晶体管处于导通状态，并且所述第二晶体管处于导通状态， 其中，在第二模式，所述第一晶体管处于导通状态，并且，所述第二晶体管处于截止状态， 其中，所述光检测装置设置成在所述第一模式和所述第二模式之间进行切换，并且， 其中，所述第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管位于所述二维阵列的相同行中， 其中，所述多个雪崩光电二极管还包括第三雪崩光电二极管，并且，第三晶体管与所述第三雪崩光电二极管的阳极或阴极连接， 其中，所述第三晶体管在所述第一模式和所述第二模式下处于导通状态，并且， 其中，所述第二雪崩光电二极管位于所述第一雪崩光电二极管和所述第三雪崩光电二极管之间。
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