信越化学工业株式会社秋山昌次获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利复合基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022997.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权复合基板及其制造方法是由秋山昌次设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合基板及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板的待粘合的晶片具有足够小的表面粗糙度并且能够防止膜剥离的发生。本发明的复合基板40具有按列出顺序层叠的硅晶片10、夹层11和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜20a，并且在硅晶片10的位于夹层11一侧的部分中具有损伤层12a。
本发明授权复合基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造复合基板的方法，所述复合基板具有按列出顺序层叠的硅晶片、夹层和氧化物单晶薄膜，所述方法包括下列步骤： 在硅晶片的待粘合表面上形成夹层； 对所述硅晶片的所述夹层一侧进行离子注入处理后在400℃至600℃的温度范围实施热处理以在所述硅晶片的所述夹层一侧的部分内形成损伤层； 将所述硅晶片与氧化物单晶晶片经由所述夹层彼此粘合来获得接合体；以及 将所述接合体的所述氧化物单晶晶片减薄而成为氧化物单晶薄膜， 并且， 通过所述离子注入处理注入的离子种类是氢原子离子H且剂量在2.5×1016atomcm至5.0×1016atomcm之间，或者 通过所述离子注入处理注入的离子种类是氢分子离子H且剂量在1.25×1016atomcm至2.5×1016atomcm之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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