三星电子株式会社黄瑄珪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210285504.7，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权半导体集成电路器件及其制造方法是由黄瑄珪;金钟燮;金俊溶;朴永焕;朴俊赫;吴在浚;黄仁俊设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。
本发明授权半导体集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路器件，包括： 沟道层； 势垒层，在所述沟道层上并配置为在所述沟道层中引起二维电子气2DEG； 在所述势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及 在所述第一p型半导体层和所述第二p型半导体层上的钝化层， 其中所述钝化层使所述第一p型半导体层的掺杂剂和所述第二p型半导体层的掺杂剂中的至少一个部分地失活， 其中所述钝化层包括在所述第一p型半导体层上的第一钝化层和在所述第二p型半导体层及所述第一钝化层上的第二钝化层，以及 所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个使所述第一p型半导体层和所述第二p型半导体层中的至少一个的所述掺杂剂部分地失活。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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