中国电子科技集团公司第十二研究所姜琪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利一种厚膜负性光刻胶的显影方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115437226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210866049.X，技术领域涉及：G03F7/32；该发明授权一种厚膜负性光刻胶的显影方法是由姜琪;谢云竹;张琳;李兴辉;潘攀;蔡军;冯进军设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚膜负性光刻胶的显影方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚膜负性光刻胶的显影方法，该方法包括以下步骤：1将涂有光刻胶的待显影的样品置于显影液中，进行静态显影；2静态显影后的样品继续置于显影液中超声处理10s‑20s；3将超声处理后的样品移至异丙醇溶液中进行清洗；4依次重复步骤2和步骤32‑3次；5用去离子水冲洗，氮气吹干。本发明提供的显影方法最大化利用当前已有的显影工艺，针对光刻胶不同区域采用不同的显影方法，可将小尺寸折叠波导的折叠缝隙处难以去除的光刻胶显影干净，同时还保证光刻胶与基底的紧密粘连。
本发明授权一种厚膜负性光刻胶的显影方法在权利要求书中公布了：1.一种针对真空电子技术领域微加工工艺的厚膜负性光刻胶的显影方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将涂有光刻胶的待显影的样品倒置于显影液中，进行静态显影，所述静态显影的时间为10min-15min；其中，所述待显影的样品中，光刻胶的厚度为300μm-400μm；所述待显影的样品是在基底涂覆光刻胶后又经历了前烘、曝光、后烘后获得的；所述基底为无氧铜基底； 2静态显影后的样品继续置于显影液中超声处理10s-20s，所述超声处理的功率为250W-300W； 3将超声处理后的样品倒置浸泡于异丙醇溶液中3min-5min； 4依次重复步骤2和步骤32-3次； 5用去离子水冲洗，氮气吹干； 所述待显影的样品用于制备折叠波导；所述折叠波导的折叠处缝隙宽度为40μm-50μm。
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