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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115455717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211163746.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统是由刘锦辉;梁博;张晓鹏;谭雯丹;张馨丹设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V‑I特性曲线和集电极、发射极端口的输出V‑I特性曲线；根据基极特性曲线提取基极输入阻抗模型参数，根据输出特性曲线提取三极管输出模型参数；结合输入输出特性曲线得到三极管电流放大系数等基本器件参数；根据模型参数建立三极管器件物理模型；根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管器件基极、集电极、发射极端口中子辐射效应模型；本发明建立的模型能反映三极管器件的基本器件特性，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。

本发明授权一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种三极管中子辐射效应的建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选择或设计一种数字器件作为原始三极管器件； 步骤2：对原始三极管器件用仪器测量或者在元器件官网下载获得原始三极管器件的模型数据； 步骤3：基于模型数据提取基极端口的输入端口V-I特性曲线和输出端口V-I特性曲线； 步骤4：根据输入端口V-I特性曲线和输出端口V-I特性曲线提取三极管处于不同工作区的工作条件； 步骤5：根据放大区内三极管输入输出工作数据，计算基极输入阻抗、电流放大系数的模型参数； 步骤6：根据计算提取的模型参数基于三极管原始SPICE模型建立三极管物理模型； 步骤7：根据中子辐射效应引起的器件参数变化获取三极管参数与辐照参数关系式，即建立三极管辐照参数模型；具体包括： 根据测定的不同辐照条件下三极管器件模型工作数据，重新采用步骤3-6中的计算方法计算出其在不同辐照条件下的器件参数，同样使用最小二乘法拟合，并结合辐照剂量拟合构建辐照剂量-各项参数变化方程，包括输入阻抗、放大区电流放大系数； 对原始三极管器件输出端口开关晶体管的阈值电压、载流子迁移率建立中子辐射效应模型，即为三极管数字IC输出端口中子辐射效应模型； 步骤8：根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管中子辐射效应模型；具体包括： 在三极管中子辐射效应模型文件中引入中子辐射参数D，在仿真时根据传入模型的中子辐射D并计算出该中子辐射D下实际的模型参数，并修改SPICE模型参数与输入阻抗变换模型。

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