深圳基本半导体有限公司和巍巍获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳基本半导体有限公司申请的专利一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210878815.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置是由和巍巍;李学会设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置在说明书摘要公布了：一种SGT‑MOSFET元胞，包括依次生成的N型衬底1、N‑外延层2、沟槽场氧化层3、第一隔离氧化层4A、第二隔离氧化层4B、栅氧化层5、第一屏蔽栅6A、第二屏蔽栅6B、P阱7、N+源区8、介质层9、背面金属10、控制栅11、沟槽12、正面金属13、接触孔14；第一屏蔽栅6A的导电多晶硅用于接源极电位，第二屏蔽栅6B导电多晶硅浮空；从而能够在使用时抬高沟槽12中部第一屏蔽栅6A拐角处电场，同时降低第二屏蔽栅6B拐角处即整个沟槽12底部的电场，使得漂移区纵向电场分布远离波浪形分布而接近矩形，优化电场分布，提高器件的击穿电压。
本发明授权一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置在权利要求书中公布了：1.一种SGT-MOSFET元胞，其特征在于，包括依次生成的N型衬底1、N-外延层2、沟槽场氧化层3、第一隔离氧化层4A、第二隔离氧化层4B、栅氧化层5、第一屏蔽栅6A、第二屏蔽栅6B、P阱7、N+源区8、介质层9、背面金属10、控制栅11、沟槽12、正面金属13、接触孔14；第一屏蔽栅6A的导电多晶硅用于接源极电位，第二屏蔽栅6B导电多晶硅浮空；从而能够在使用时抬高沟槽12中部第一屏蔽栅6A拐角处电场，同时降低第二屏蔽栅6B拐角处即整个沟槽12底部的电场，使得漂移区纵向电场分布远离波浪形分布而接近矩形，优化电场分布，提高器件的击穿电压；所述控制栅11是N型控制栅，所述第一屏蔽栅6A与N型控制栅之间的第一隔离氧化层4A厚度大于第一屏蔽栅6A与第二屏蔽栅6B之间的第二隔离氧化层4B厚度。
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