联华电子股份有限公司王温壬获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利可变电阻式存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110641056.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权可变电阻式存储器装置及其形成方法是由王温壬;郑钧鸿;王泉富设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻式存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种可变电阻式存储器装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器resistiverandom‑accessmemory,RRAM装置，包含有一底电极、一电阻材料层、一高功函数层、一顶电极、一硬掩模以及高功函数侧壁部分。底电极、电阻材料层、高功函数层、顶电极以及硬掩模依序堆叠于一基底上。高功函数侧壁部分覆盖顶电极的侧壁，以及硬掩模的侧壁，因而构成一可变电阻式存储器单元。
本发明授权可变电阻式存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻式存储器resistiverandom-accessmemory,RRAM装置，包含有： 底电极、电阻材料层、高功函数层、顶电极以及硬掩模依序堆叠于基底上；以及 高功函数侧壁部分，覆盖该顶电极的侧壁，以及该硬掩模的侧壁，因而构成可变电阻式存储器单元， 其中该些高功函数侧壁部分以及该高功函数层包含铱，且该些高功函数侧壁部分以及该高功函数层为一体成型。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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