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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211108349.8，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种碳化硅晶圆加工方法是由严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆加工方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个经过外延工艺的碳化硅晶圆，将多个碳化硅晶圆背面呈环形阵列贴附到一个带有气孔的石墨载板上，然后通过抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到石墨载板上，再采用LPCVD工艺，在碳化硅晶圆正面和石墨载板表面沉积一层第一二氧化硅层，通过步骤S1中第一二氧化硅层，可以将多个碳化硅晶圆固定到同一个石墨载板，方便多个碳化硅晶圆同时进行正面工艺，以并且在步骤S3中将多个碳化硅晶圆同时转移到同一个切割模框上，方便同时完成多个碳化硅晶圆的裂片，方便快速完成对多个碳化硅晶圆的加工，提升对碳化硅晶圆的加工速度。

本发明授权一种碳化硅晶圆加工方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、取一个经过外延工艺的碳化硅晶圆，将多个碳化硅晶圆背面呈环形阵列贴附到一个带有气孔的石墨载板上，然后通过抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到石墨载板上，再采用LPCVD工艺，在碳化硅晶圆正面和石墨载板表面沉积一层第一二氧化硅层，然后停止抽气设备的抽气，并移除抽气设备； 再次通过LPCVD工艺在碳化硅晶圆和石墨载板外部包覆一层第二二氧化硅层，然后采用CMP工艺对碳化硅晶圆正面进行研磨减薄，使碳化硅晶圆正面平坦化，最后在碳化硅晶圆正面进行正面工艺； S2、对于步骤S1中得到的碳化硅晶圆，翻转碳化硅晶圆，通过粘着剂将碳化硅晶圆正面键合到玻璃载板上，并采用氢氟酸蚀刻掉第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，再移除石墨载板，在碳化硅晶圆背面进行背面工艺，然后翻转碳化硅晶圆将碳化硅晶圆背面贴附到承载模框上，最后对玻璃载板进行解键合； S3、对于步骤S2中得到的碳化硅晶圆，采用隐形激光切割对碳化硅晶圆进行切割，在碳化硅晶圆上形成易于分离的改质层，最后通过扩膜裂片将碳化硅晶圆沿改质层断裂分离成多个碳化硅晶粒； 在所述步骤S1中，经过外延工艺的碳化硅晶圆正面会长出外延层，对于碳化硅晶圆的减薄会研磨至外延层，碳化硅晶圆的正面工艺包括晶体管制作、离子植入、高温回火、接触孔制作和金属连接件制作，在所述步骤S2中，碳化硅晶圆的背面工艺包括背面减薄和在碳化硅晶圆背面沉积一层金属层； 在所述步骤S2中，所采用的粘着剂为UV胶，对玻璃载板的解键合方式为UV光照，解除UV胶的粘性，并移除玻璃载板。

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