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龙图腾网获悉西交利物浦大学申请的专利一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211135285.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法是由李帆;曹平予;张元雷;刘雯设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氧气钝化加栅极自对准的p‑GaNHEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。通过氧气等离子钝化和高温氧化的方法，通过栅极自对准的工艺实现增强型空穴注入型晶体管。用高温热氧化的方法替代ICP刻蚀法，避免离子轰击形成损伤，减少器件表面损伤，且使用氧气钝化后的器件有耐高温特性。高温热氧化方法基于氧气进行氧化，使得AlGaN层中的Al元素与氧气发生反应自动阻止进一步氧化，避免使用ICP刻蚀法对AlGaN层造成的损伤影响器件性能。使用栅极金属替代掩膜版的作用进行氧化，实现自对准的工艺处理，通过欧姆接触的栅极金属实现空穴注入型晶体管，空穴可以与电子结合，抑制电子缺陷，提高器件阈值电压的稳定性，同时减少工艺步骤，提高工艺的简便性。

本发明授权一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在基层表面依次生长GaN势垒层和AlGaN层以及p-GaN层； S2、在所述p-GaN层上定义有源区位置后，通过PVD在所述p-GaN层表面生长NiAu或NiAg作为栅极金属，定义栅极位置； S3、通过LPCVD在所述栅极表面生长SiOx掩膜层； S4、通过ICPO2等离子体钝化器件，将所述p-GaN层未被SiOx掩膜层保护区域钝化为高阻层； S5、去除所述SiOx掩膜层，将器件在高温氧化炉中氧化，所述栅极金属氧化与所述栅极下方的p-GaN层形成欧姆接触； S6、通过光刻定义源极和漏极区域，选择性刻蚀二次氧化区域的所述p-GaN层，所述二次氧化区域为依次经氧离子体氧化和高温热氧化形成的氧化区域； S7、PVD沉淀和退火形成源极和漏极的欧姆接触，采用PRCVD沉积SiNx钝化层，完成器件制作。

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