纳维达斯半导体有限公司朴毕圣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉纳维达斯半导体有限公司申请的专利二维电子气电荷密度控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210706855.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权二维电子气电荷密度控制是由朴毕圣设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维电子气电荷密度控制在说明书摘要公布了：本公开涉及二维电子气电荷密度控制。公开了用于控制氮化镓GaN装置中的二维电子气2DEG电荷密度的结构和相关技术。在一个方面，一种GaN装置包含化合物半导体衬底、形成于所述化合物半导体衬底中的源极区、形成于所述化合物半导体衬底中并与所述源极区分离的漏极区、形成于所述化合物半导体衬底中并在所述源极区与所述漏极区之间延伸的2DEG层、形成于所述化合物半导体衬底上并定位在所述源极区与所述漏极区之间的栅极区，以及设置在所述栅极区与所述漏极区之间的多个隔离的电荷控制结构。
本发明授权二维电子气电荷密度控制在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓GaN装置，其包括： 化合物半导体衬底； 源极区，其形成于所述化合物半导体衬底中； 漏极区，其形成于所述化合物半导体衬底中并与所述源极区分离； 二维电子气2DEG层，其形成于所述化合物半导体衬底中并在所述源极区与所述漏极区之间延伸； 栅极区，其形成于所述化合物半导体衬底上并定位在所述源极区与所述漏极区之间；以及 多个隔离的电荷控制结构，其设置在所述栅极区与所述漏极区之间， 其中所述2DEG层在所述多个隔离的电荷控制结构中的每一者下具有减小的电荷密度，并且在不在所述多个隔离的电荷控制结构下的区域中具有增加的电荷密度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人纳维达斯半导体有限公司，其通讯地址为：爱尔兰都柏林；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励