绍兴中芯集成电路制造股份有限公司高尚获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利IGBT器件及IGBT器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211172433.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及IGBT器件的制备方法是由高尚设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件及IGBT器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种IGBT器件及IGBT器件的制备方法，其中，IGBT器件包括元胞区，在元胞区内设置有多个沟槽栅，多个沟槽栅至少包括第一沟槽栅和第二沟槽栅，第一沟槽栅的横截面积和第二沟槽栅的横截面积不同，第一沟槽栅的深度和第二沟槽栅的深度相同；第一沟槽栅和第二沟槽栅均连接至栅极电位；如此，从而有利于调节器件的反馈电容，改善器件的开关特性，避免电流震荡问题，提高器件工作的稳定性。
本发明授权IGBT器件及IGBT器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括元胞区，在所述元胞区内设置有多个沟槽栅，其中， 多个所述沟槽栅至少包括第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅的横截面积和所述第二沟槽栅的横截面积不同，所述第一沟槽栅的深度和所述第二沟槽栅的深度相同；所述横截面积是指沿与所述第一沟槽栅或所述第二沟槽栅的深度方向垂直的方向上的截面积； 所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅均连接至栅极电位； 所述第一沟槽栅的横截面积与所述第二沟槽栅的横截面积之比在1:1.3至1:4的范围内，和或，在所述元胞区内所述第一沟槽栅的数量与所述第二沟槽栅的数量之比在10:7至10:13的范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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