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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器及其制作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115581066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211255683.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制作方法、存储器系统是由刘雅琴;刘威;黄诗琪;王言虹;刘子琛设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了存储器及其制作方法、存储器系统，存储器具有第一区域和第二区域，存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：第一电极结构，位于第二区域，包括：沿第一方向延伸的第一导电线和沿第二方向延伸的多个第二导电线；其中，第二导电线所在的层级与第一半导体结构的字线所在的层级或第一半导体结构的位线所在的层级相同，第二导电线所在的层级与第一导电线所在的层级不同；第一方向和第二方向相交；第二电极结构，位于第二区域，包括：沿第一方向延伸的第三导电线和沿第二方向延伸的多个第四导电线；其中，第四导电线位于相邻的两个第二导电线之间；电介质结构，位于第一电极结构和第二电极结构之间。

本发明授权存储器及其制作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器具有第一区域和第二区域，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括： 存储单元阵列，位于所述第一区域，且与所述第二半导体结构连接； 第一电极结构，位于所述第二区域，包括：沿第一方向延伸的第一导电线和沿第二方向延伸的多个第二导电线；其中，所述第二导电线所在的层级与所述第一半导体结构的字线所在的层级或所述第一半导体结构的位线所在的层级相同，所述第二导电线所在的层级与所述第一导电线所在的层级不同；所述第一方向和所述第二方向相交； 第二电极结构，位于所述第二区域，包括：沿所述第一方向延伸的第三导电线和沿所述第二方向延伸的多个第四导电线；其中，所述第四导电线所在的层级与所述第二导电线所在的层级相同，所述第三导电线所在的层级与所述第一导电线所在的层级相同；所述第四导电线位于相邻的两个所述第二导电线之间；所述第二导电线相对远离所述第三导电线的一端与所述第一导电线连接；所述第四导电线相对远离所述第一导电线的一端与所述第三导电线连接； 电介质结构，位于所述第一电极结构和所述第二电极结构之间。

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