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北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所万禾湛获国家专利权

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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种低噪声高PSRR的LDO电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115617112B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211177467.4,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权一种低噪声高PSRR的LDO电路是由万禾湛;王宗民;涂彦杰;杨晓君;于广莹;王磊;李晓博;王秀芝;吕超;孔瀛;莫艳图;宋奎鑫;柏晓鹤;李阳;马佩;曹亦栋设计研发完成,并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低噪声高PSRR的LDO电路在说明书摘要公布了:本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路,属于模拟集成电路技术领域;包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr;采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构,滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构,以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路,滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声,增强了LDO的PSRR。

本发明授权一种低噪声高PSRR的LDO电路在权利要求书中公布了:1.一种低噪声高PSRR的LDO电路,其特征在于:包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr; 其中,带隙基准电路模块的输出端VREF连接误差放大器EA的其中一个输入端;误差放大器EA的另一输入端与电阻Ra负端和电阻Rb正端相连;误差放大器EA的输出端与滤波电路相连;误差放大器EA的电源端、缓冲级BUF的电源端、PSRR增强电路的电源端、MOS管MP1的源极均与输入Vin连接;滤波电路的输出经过BUF后分别连接MOS管MP1的栅极和PSRR增强电路;PSRR增强电路的偏置由带隙基准电路提供;MOS管MP1的栅极与MOS管MP2的栅极相连;MOS管MP2的源极与误差放大器连接;MOS管MP1和MOS管MP2的漏极均连接输出端Vout;电阻Ra正端、电容CL的正端、电阻RL的正端均连接输出端Vout;电容CL负端与电阻Resr的正端相连,电阻Rb负端、电阻Resr负端、电阻RL的负端均连地; 所述带隙基准电路包括三极管Q1-Q13、电容C1-C2、电阻R1-R9、MOS管M1-M8、施密特触发器和反相器; 其中,三极管Q1、Q2的基极与三极管Q10的发射极和电阻R3的正端相连,三极管Q1的发射极与电阻R1的正端连接,三极管Q2的发射极与电阻R1的负端和电阻R2的正端相连,电阻R3的负端与带隙基准电路的输出端VREF、电阻R4的正端相连,电阻R4的负端和电阻R2的负端与地相连;三极管Q1的集电极与三极管Q3的集电极、基极以及三极管Q4的基极相连,三极管Q2的集电极与三极管Q4的集电极、三极管Q9的基极、电容C1的正端相连,电容C1的负端与地相连,三极管Q10的基极与三极管Q3发射极、三极管Q4的发射极、三极管Q9的发射极、三极管Q11的集电极相连,电源与三极管Q10的集电极、电容C2的正端、三极管Q11的发射极、MOS管M1的漏端、三极管Q12的发射极、MOS管M2的源端和漏端、MOS管M3的源端、MOS管M4的源端、MOS管M5的源端相连,电容C2的负端与三极管Q11的基极、三极管Q12的基极和集电极、三极管Q6的集电极、MOS管M2的栅端相连,三极管Q9的集电极与三极管Q5的集电极和基极、三极管Q6的基极、电阻R5的负端、MOS管M1的栅端相连,电阻R5的正端与MOS管M1的源端相连,三极管Q5的发射极与三极管Q7的集电极、三极管Q8的基极相连,三极管Q6的发射极与三极管Q8的集电极、三极管Q7的基极相连,三极管Q8的发射极与电阻R6的正端相连,三极管Q7的发射极和电阻R6的负端与地相连,MOS管M3的栅端与MOS管M3漏端、MOS管M6的漏端、MOS管M4的栅端、MOS管M5的栅端相连,MOS管M6的源端与电阻R7的正端相连,MOS管M6的栅端与电阻R7的负端、MOS管M7的漏端相连,MOS管M7的源端与地相连,MOS管M4的漏端与电阻R8的正端、三极管Q13的基极相连接,电阻R8的负端与电阻R9的正端、MOS管M8的漏端相连,MOS管M5的漏端与三极管Q13的集电极、施密特触发器输入端相连,三极管Q13的发射极与MOS管M8的源端、电阻R9的负端连接并与地相连,MOS管M8的栅端与施密特触发器的输出、反相器的输入相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所,其通讯地址为:100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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