惠州市豪鹏科技有限公司晁庆阳获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州市豪鹏科技有限公司申请的专利一种硅基层状多孔负极材料、制备方法及硅基负极、电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211392839.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种硅基层状多孔负极材料、制备方法及硅基负极、电池是由晁庆阳;苏兴;胡大林;廖兴群设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基层状多孔负极材料、制备方法及硅基负极、电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基层状多孔负极材料、制备方法及硅基负极、电池，硅基层状多孔负极材料制备方法包括步骤：将硼镁尾矿原料破碎、筛分、干燥；称取硼镁尾矿原料与镁粉共混，并进行SiO2的镁热还原，以使SiO2转变为硅单质，得到硅单质层和氧化镁层交替分布的粉体材料；对粉体材料进行酸活化，以去除硅单质层之间的镁离子；干燥研磨粉体材料，得到硅单质层和氧化镁层交替排列的层状多孔材料；采用葡萄糖溶液浸泡层状多孔材料；将葡萄糖溶液浸泡后的层状多孔材料高温处理，以使葡萄糖热解碳化，形成碳包覆层包裹在层状多孔材料表面，制得硅基层状多孔负极材料。
本发明授权一种硅基层状多孔负极材料、制备方法及硅基负极、电池在权利要求书中公布了：1.一种硅基层状多孔负极材料制备方法，其特征在于，包括步骤： 将硼镁尾矿原料破碎、筛分、干燥，矿物粉体的粒径＜75μm； 称取硼镁尾矿原料与镁粉共混，并采用高温球磨机在还原性气氛下进行SiO2的镁热还原，以使SiO2转变为硅单质，得到硅单质层和氧化镁层交替分布的粉体材料； 对粉体材料进行酸活化，采用硫酸进行酸活化，硫酸浓度为2.16～2.71molL，酸活化温度为25～45℃，酸活化时间为5～60min；以去除硅单质层之间的镁离子；干燥研磨粉体材料，得到硅单质层和氧化镁层交替排列的层状多孔材料； 采用葡萄糖溶液浸泡层状多孔材料，浸泡时间为60～120min； 将葡萄糖溶液浸泡后的层状多孔材料高温处理，以使葡萄糖热解碳化，形成碳包覆层包裹在层状多孔材料表面，制得硅基层状多孔负极材料；其中，硅基层状多孔负极材料为以层状的硅单质层为骨架，氧化镁层为骨架支撑的、交替排列的Si-MgO层结构。
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