京东方科技集团股份有限公司孙孟娜获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利光敏探测器和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211193735.1，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权光敏探测器和制备方法是由孙孟娜;张娟;黄清雨;王鹏;康亮亮;闫华杰;焦志强设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光敏探测器和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光敏探测器和制备方法，光敏探测器包括：吸光层，吸光层包括光敏材料，吸光层的一侧表面分布有多个凹槽；第一电极，第一电极设置在吸光层的另一侧，第一电极为透光电极；第二电极，第二电极设置于吸光层的一侧。在本发明的光敏探测器中，吸光层包括光敏材料，吸光层的一侧表面分布有多个凹槽，第一电极设置在吸光层的另一侧，第一电极为透光电极，第二电极设置于吸光层的一侧。通过在吸光层表面设置多个凹槽，可以减少吸光层对光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光电探测器的检测精确度和灵敏度，该探测器结构简单，检测可靠性高。
本发明授权光敏探测器和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光敏探测器，其特征在于，包括： 吸光层，所述吸光层包括光敏材料，所述吸光层的一侧表面分布有多个凹槽； 第一电极，所述第一电极设置在所述吸光层的另一侧，所述第一电极为透光电极； 第二电极，所述第二电极设置于所述吸光层的一侧； 所述凹槽为半球状，所述第二电极设置于所述凹槽的开口的边沿，所述第二电极在所述第一电极上的正投影部分覆盖所述凹槽在所述第一电极上的正投影。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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