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龙图腾网获悉深圳信息职业技术学院申请的专利一种多功能二维自旋逻辑门器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211318272.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种多功能二维自旋逻辑门器件及其制备方法是由于胜;王新中;顾礼设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多功能二维自旋逻辑门器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多功能二维自旋逻辑门器件及其制备方法，该器件包括依次层叠设置的衬底层、自旋电子导通层、逻辑电极层，逻辑电极层包括水平方向上相互间隔设置的磁性控制区、第一输入区和第二输入区，第一输入区设置于磁性控制区与第二输入区的中央；通过调节磁性控制区的磁化方向，使多功能二维自旋逻辑门器件执行与门逻辑和或非门逻辑之间的切换。本发明通过在二维石墨烯材料表面设置磁性控制区、第一输入区和第二输入区，并利用铁磁半金属与自旋无间隙半导体的材料特性，使器件具备了与门逻辑和或非门逻辑两种逻辑运算方式，且无需引入其他器件，降低了执行多种逻辑运算时的功耗和延迟。

本发明授权一种多功能二维自旋逻辑门器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多功能二维自旋逻辑门器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底层、自旋电子导通层、逻辑电极层，所述逻辑电极层包括水平方向上相互间隔设置的磁性控制区、第一输入区和第二输入区，所述第一输入区设置于所述磁性控制区与第二输入区的中央； 所述磁性控制区和第二输入区采用铁磁半金属材料，所述第一输入区采用自旋无间隙半导体材料，通过调节磁性控制区的磁化方向，使所述多功能二维自旋逻辑门器件执行与门逻辑和或非门逻辑之间的切换； 所述衬底层由硅和二氧化硅依次层叠构成，且二氧化硅靠近所述自旋电子导通层设置； 所述自旋电子导通层采用二维石墨烯材料； 以所述磁性控制区到第二输入区为正向偏压方向，施加外界磁场使所述磁性控制区的磁矩方向向下时，所述多功能二维自旋逻辑门器件配置为与门逻辑； 所述多功能二维自旋逻辑门器件处于与门逻辑时，所述第一输入区与第二输入区的磁矩方向均向上，所述多功能二维自旋逻辑门器件为导通状态；否则为截止状态； 以所述磁性控制区到第二输入区为正向偏压方向，施加外界磁场使所述磁性控制区的磁矩方向向上时，所述多功能二维自旋逻辑门器件配置为或非门逻辑； 所述多功能二维自旋逻辑门器件处于或非门逻辑时，所述第一输入区与第二输入区的磁矩方向均向下，所述多功能二维自旋逻辑门器件为导通状态；否则为截止状态。

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