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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利发光器件阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036412.9，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权发光器件阵列是由S·梅佐阿里;A·皮诺斯设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光器件阵列在说明书摘要公布了：提供一种发光器件阵列。发光器件阵列包括发光堆叠体、第一电触点层、第二电触点阵列和抗反射层。发光堆叠体具有发光面和接触面；发光面和接触面限定发光堆叠体的相对两侧；发光堆叠体包括多个III族氮化物层，其包括朝向发光堆叠体的发光面设置的第一半导体层、朝向接触面设置的第二半导体层以及布置在第一半导体层和第二半导体之间的有源层，有源层被配置为产生具有第一波长的光。发光面和接触面彼此平行并与多个III族氮化物层对齐。第一电触点层设置在发光堆叠体上，并且被配置为与第一半导体层电接触。第二电触点阵列设置在发光堆叠体的接触面上。每个第二电触点限定在第一半导体层和第二电触点之间的发光器件。每个第二电触点与其他第二电触点隔开，以形成二维的发光器件阵列。抗反射层设置在发光面上。抗反射层被配置为提高由发光堆叠体产生的光的光提取效率。

本发明授权发光器件阵列在权利要求书中公布了：1.一种发光器件阵列，包括： 发光堆叠体，其具有发光面和接触面，所述发光面和所述接触面限定所述发光堆叠体的相对两侧， 所述发光堆叠体包括多个III族氮化物层，所述III族氮化物层包括朝向所述发光堆叠体的发光面设置的第一半导体层、朝向所述接触面设置的第二半导体层，以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体之间的有源层，所述有源层被配置为产生具有第一波长的光， 其中所述发光面和所述接触面彼此平行并与所述多个III族氮化物层对齐； 第一电触点层，其设置在所述发光堆叠体上并且被配置为与所述第一半导体层电接触； 第二电触点阵列，其设置在所述发光堆叠体的接触面上，每个第二电触点限定在所述第一半导体层和所述第二电触点之间的发光器件，其中每个第二电触点与其他第二电触点隔开，以形成二维的发光器件阵列；以及 抗反射层，其设置在所述发光面上，所述抗反射层被配置为提高由发光器件层产生的光的光提取效率。

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