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龙图腾网获悉陕西亚成微电子股份有限公司申请的专利带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211380004.8，技术领域涉及：H03K17/082；该发明授权带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法是由熊平;杨世红;余远强;付玉建设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法，旨在解决现有高侧MOSFET开关芯片在输出短路时容易烧毁功率MOS管的技术问题。该高侧MOSFET开关芯片包括电荷泵、振荡器、逻辑控制单元、线性稳压器、功率MOS管以及短路保护单元；短路保护单元分别与VBB引脚、高侧电源电压Vs、OUT引脚以及功率MOS管GATE驱动端连接，包括第一级Von检测电路、第二级Von检测及箝位限流电路、延迟时间产生电路以及使能信号产生电路；在满足一定的阈值电压及延时要求时，短路保护单元下拉GATE驱动端电压以关断功率MOS管并锁定短路保护状态，或者将GATE驱动端和VOUT引脚的压降箝位至箝位电压。

本发明授权带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高侧MOSFET开关芯片的短路保护控制方法，其特征在于： 开机后，将IN引脚的输入电压送入高侧MOSFET开关芯片，通过线性稳压器输出高侧电源电压Vs，同时短路保护单元进行第一级Von检测和第二级Von检测； 所述第一级Von检测具体是，在电流镜电路中，将第二稳压管的压降加在参考电阻R1上产生的参考电流与导通电压Von加在检测电阻R2上产生的检测电流进行比较，从而判断导通电压Von是否达到第一短路阈值电压Vth1，若在第一延迟时间Tdelay1内导通电压Von一直大于第一短路阈值电压Vth1，则第二延迟时间Tdelay2结束后，输出芯片内部驱动信号inL，作为短路保护信号下拉GATE驱动端电压，从而关断功率MOS管并锁定短路保护状态；若导通电压Von大于第一短路阈值电压Vth1且维持时间不超过第一延迟时间Tdelay1，将GATE驱动端和OUT引脚的压降箝位至箝位电压；其中，导通电压Von是指VBB引脚的输入电压Vbb和VOUT引脚的输出电压Vout的差值，第一短路阈值电压Vth1与第二稳压管的压降呈线性关系； 所述第二级Von检测具体是，若导通电压Von大于第三短路阈值电压Vth3且小于第一短路阈值电压Vth1，或者导通电压Von大于第二短路阈值电压Vth2且小于第三短路阈值电压Vth3且维持时间超过第二延迟时间Tdelay2后，将GATE驱动端和VOUT引脚的压降箝位至箝位电压；其中，第三短路阈值电压Vth3等于三个场效应管的箝位电压，第二短路阈值电压Vth2等于一个场效应管的箝位电压；在第二级Von检测的延迟第二延迟时间Tdelay2内，屏蔽输出短路保护信号； 所述第一短路阈值电压Vth1＞第三短路阈值电压Vth3＞第二短路阈值电压Vth2； 所述第二延迟Tdelay2＞第一延迟Tdelay1。

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