陕西科技大学卓龙海获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115768095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211582219.8,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法是由卓龙海;缑鹏飞;谢璠;沈东;何丽霞设计研发完成,并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法,属于新材料技术领域。所述制备方法,包括以下步骤:采用原位HF刻蚀法制备MXene分散液;以去离子水为溶剂,溶解硝酸银制备硝酸银溶液;将所述硝酸银水溶液加入MXene分散液中,采用真空抽滤的方法得到Ag@MXene薄膜。所述方法采用硝酸银中的银离子为氧化剂使其与MXene中的钛元素发生氧化还原反应生成银颗粒,从而将MXene片层撑起减小片层之间的粘合所带来的电阻并且增加MXene中的导电通路,以此增大MXene的导电性;所述复合薄膜不仅具有优异的导电性能、电磁屏蔽性能并且易成型加工;所述复合薄膜的电导率可到达3120Scm,电磁屏蔽性能可达到68.5dB。
本发明授权一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1:制备MXene分散液; S2:制备硝酸银水溶液; S3:将所述硝酸银水溶液加入MXene分散液中进行氧化还原反应得到AgNPsMXene分散液,后采用真空辅助过滤法制得高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜; 所述硝酸银水溶液的浓度为2.5mgmL~25mgmL; 所述高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜的厚度为17~20μm时,高导电MXene基电磁屏蔽复合薄膜的最高电导率为3120Scm,最高电磁屏蔽性能为68.5dB。
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