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龙图腾网获悉株式会社钟化申请的专利太阳能电池单元及太阳能电池单元制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115777149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180048272.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权太阳能电池单元及太阳能电池单元制造方法是由冈本绅平;中村淳一设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池单元及太阳能电池单元制造方法在说明书摘要公布了：提供能够防止在叠瓦连接时短路的太阳能电池单元及其制造方法。在本发明的一形态的太阳能电池单元1中，与半导体基板10不同的导电类型的第一半导体层20具有主功能部21和隔离部22，主功能部层叠有第一电极图案40，具有在半导体基板10的第一方向一侧的端部遍及第二方向的全长地形成的第一基端部23和从第一基端部23向第一方向另一侧延伸突出的第一收集部24，隔离部在半导体基板10的第一方向另一侧的端部遍及第二方向的全长地形成为线状，不层叠第一电极图案40，与半导体基板10相同的导电类型的第二半导体层30具有与隔离部22的第一方向一侧邻接并在第二方向延伸的第二基端部31和从第二基端部31向第一方向一侧延伸突出的多个第二收集部32。

本发明授权太阳能电池单元及太阳能电池单元制造方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池单元，其特征在于，具备： 半导体基板，具有第一导电类型； 第一半导体层及第二半导体层，形成于所述半导体基板的背面，所述第一半导体层具有与所述半导体基板不同的导电类型，所述第二半导体层具有与所述半导体基板相同的导电类型；以及 第一电极图案及第二电极图案，所述第一电极图案层叠于所述第一半导体层，所述第二电极图案层叠于所述第二半导体层， 所述第一半导体层具有： 主功能部，具有第一基端部及多个第一收集部，并层叠有所述第一电极图案，所述第一基端部在所述半导体基板的第一方向一侧的端部遍及与所述第一方向交叉的第二方向的全长地形成，所述多个第一收集部从所述第一基端部向所述第一方向另一侧延伸突出；和 隔离部，在所述半导体基板的所述第一方向另一侧的端部遍及所述第二方向的全长地形成为线状，不层叠所述第一电极图案， 所述第二半导体层具有第二基端部及多个第二收集部，所述第二基端部与所述隔离部的所述第一方向一侧邻接，并在所述第二方向延伸，所述多个第二收集部从所述第二基端部向所述第一方向一侧延伸突出。

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