东南大学张家雨获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211631478.5，技术领域涉及：G02B6/35；该发明授权基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法是由张家雨;白春正;项文斌;陈伟敏设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明是一种基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法，本发明的光开关结构自下而上：第一层为石英衬底，第二层为由多对高折射率薄膜和低折射率薄膜交替组成的底部分布式布拉格反射器DBR,第三层为刻蚀在底部DBR上的叉指电极以及在电极之间均匀有序排列的Ⅱ‑Ⅵ族半导体纳米片NPLs，第四层为由多对高折射率薄膜和低折射率薄膜交替组成的顶部DBR。本发明提供的基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关将斯塔克效应器件引入微谐振腔中，借助微腔对工作波长的共振特性使得入射光得到了增强，而且通过微腔延长了入射光与纳米片的有效相互作用长度，从而增强了纳米片的光吸收效应，提高了光开关的透射率调制范围。
本发明授权基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关，其特征在于，包括从下到上低次设置的石英衬底、底部DBR、叉指电极和顶部DBR； 所述底部DBR和顶部DBR均包括交替沉积的高折射率薄膜和低折射率薄膜，单层薄膜的厚度为目标波长的四分之一； 其中叉指电极之间均匀有序排列Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米片NPLs，纳米片为多层，且面朝下。
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