山东浪潮华光光电子股份有限公司徐盼盼获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种提升LED芯片侧面出光效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110992519.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提升LED芯片侧面出光效率的方法是由徐盼盼;闫宝华;高瑜;李君设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升LED芯片侧面出光效率的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升LED芯片侧面出光效率的方法。步骤如下：1提供LED外延片，在外延片GaN层上生长SiO2薄膜；2在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形；3将外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50～150s；4将外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构；5将外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀PN电极和制备钝化层。本发明制作的LED芯片具有两段斜坡的MESA结构，首先增加了LED芯片的出光面积；其次增加了侧面出光路线中的角度组合，增加了GaN内部的波导或多次反射的光线的逃逸机会；最后更有利于发自MQW的光线横向传播的一次出光，相较于常规MESA结构的LED芯片发光效率提高了1.2％以上。
本发明授权一种提升LED芯片侧面出光效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升LED芯片侧面出光效率的方法，其特征在于，包括步骤如下： 1提供LED外延片，外延片包括衬底和衬底上的GaN层，在GaN层上通过PECVD方法生长SiO2薄膜； 2在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形； 3将步骤2所得外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50~150s； 4将步骤3所得外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构； 其中，所述MESA结构为两段斜坡构成的不规则侧面结构；所形成两段斜坡中，第一段斜坡与水平的夹角为30~35度，垂直高度为0.4~0.8μm；第二段斜坡与水平的夹角为55~60度，垂直高度为0.6~1.0μm； 5将步骤4所得外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀PN电极和制备钝化层。
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