Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 中国科学院地球化学研究所范大伟获国家专利权

中国科学院地球化学研究所范大伟获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉中国科学院地球化学研究所申请的专利一种高温高压下合成氟碳钆矿单晶的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115928185B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310025522.6,技术领域涉及:C30B1/12;该发明授权一种高温高压下合成氟碳钆矿单晶的方法是由范大伟;周文戈;许金贵设计研发完成,并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高温高压下合成氟碳钆矿单晶的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高温高压下合成氟碳钆矿单晶的方法,涉及稀土矿技术领域。本发明以GdCl3、NaF和NaHCO3为原料,在预定压力下进行阶段式升温反应,得到的氟碳钆矿单晶为纯净物,化学稳定性好,解决了目前氟碳钆矿单晶生长困难的技术难题。另外,本发明的方法具有操作过程简单、条件容易控制等优势。

本发明授权一种高温高压下合成氟碳钆矿单晶的方法在权利要求书中公布了:1.一种合成氟碳钆矿单晶的方法,其特征在于,包括以下步骤: 将GdCl3、NaF和NaHCO3按照摩尔比1:1:1混合,在2.0GPa的压力条件下,将得到的混合物在第一温度、第二温度和第三温度下分别保温45min,之后在第四温度下保温80-100h,得到所述氟碳钆矿单晶; 所述第一温度为150-200℃,所述第二温度为350-400℃,所述第三温度为550-600℃;所述第四温度为700-800℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院地球化学研究所,其通讯地址为:550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路99号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。