中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王胜获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利电阻结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111172784.2，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权电阻结构及其形成方法是由王胜;陈建;王彦设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种电阻结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成第一电阻层；在第一电阻层表面形成初始第二电阻层，且初始第二电阻层的电阻率高于第一电阻层的电阻率；在初始第二电阻层表面形成第m介质层，第m介质层内具有暴露出所述初始第二电阻层表面的通孔；对通孔暴露出的初始第二电阻层进行改性处理，在通孔底部形成接触层，接触层位于所述第一电阻层表面，被第m介质层覆盖的初始第二电阻层形成第二电阻层，所述接触层侧壁与所述第二电阻层侧壁相接触，接触层的电阻率小于第二电阻层的电阻率；在接触层上形成填充满通孔的导电结构。所形成的电阻结构可靠性高、电学性能好。
本发明授权电阻结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底、位于基底上的器件结构、连接器件结构的导电层和与导电层相连的互连层，所述互连层包括n层； 位于所述衬底表面的第一电阻层； 位于所述第一电阻层表面的第二电阻层，且所述第二电阻层的电阻率高于第一电阻层的电阻率； 位于所述第二电阻层表面的第m介质层，所述第m介质层内具有暴露出所述第二电阻层表面的通孔； 位于通孔底部的接触层，所述接触层位于所述第一电阻层表面，所述接触层侧壁与所述第二电阻层侧壁相接触，所述接触层的电阻率小于第二电阻层的电阻率； 位于所述接触层上的填充满所述通孔的导电结构。
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