电子科技大学重庆微电子产业技术研究院齐钊获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310095729.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件是由齐钊;魏敬奇;李泽宏设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件在说明书摘要公布了：本发明属于电子科学与技术领域，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，包括n+型衬底01、p型埋层02、p型外延层03、n型埋层04、第一n型外延层051、第二n型外延层052、第一隔离区31、第二隔离区32、第三隔离区33、pwell区06、N+接触区11、P+区21、第一输入输出端口41、第二输入输出端口42；本发明通过引入p型埋层、p型外延层和n型埋层以及串联的垂直结构二极管实现了双向导通并有效降低了寄生电容。
本发明授权一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，其特征在于，包括n+型衬底01、p型埋层02、p型外延层03、n型埋层04、第一n型外延层051、第二n型外延层052、第一隔离区31、第二隔离区32、第三隔离区33、pwell区06、N+接触区11、P+区21、第一输入输出端口41、第二输入输出端口42，其中： 在n+型衬底01上注入形成p型埋层02，在p型埋层02上外延形成p型外延层03； 在p型外延层03上插入三个隔离区，形成间隔结构，隔离结构为利用隔离区在p型外延层03上形成两个等间隔的区域，即第一间隔区、第二间隔区； 在第一间隔区的p型外延层03上外延形成第一n型外延层051，第一n型外延层051表面注入形成N+接触区11； 在第二间隔区的p型外延层03上注入形成n型埋层04，在n型埋层04上外延形成第二n型外延层052表面注入形成pwell区06，pwell区06表面注入形成P+区21； N+接触区11与P+区21表面用金属短接，构成器件的第一输入输出端口41；n+型衬底下表面作为器件第二输入输出端口42。
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