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龙图腾网获悉阿莱戈微系统有限责任公司申请的专利使用后端金属层的具有增强散热的多层集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180058310.7，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权使用后端金属层的具有增强散热的多层集成电路是由S·谢特卢尔;M·克列巴诺夫;P·康皮戈里欧;Y·T·刘设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用后端金属层的具有增强散热的多层集成电路在说明书摘要公布了：一方面，集成电路包括第一导电层和磁阻元件MRE，该磁阻元件被设置在第一导电层的上方并被通过第一通孔耦合到该第一导电层。MRE被磁化以产生第一磁取向。第一导电层被设置在电路中的第二导电层的上方并被通过第二通孔耦合到该第二导电层。该电路还包括被设置在MRE的附近的金属填充物。该金属填充物被定位在第二导电层的上方并被通过第三通孔耦合到该第二导电层。该电路还包括由施加到第一MRE的物理输入产生的散热路径。该散热路径延伸穿过第一通孔到第三通孔、第一导电层和第二导电层、集成电路互连件和金属填充物。

本发明授权使用后端金属层的具有增强散热的多层集成电路在权利要求书中公布了：1.一种多层集成电路，包括： 第一导电层； 第一磁阻元件，所述第一磁阻元件被设置在所述第一导电层的第一部分的上方并被通过第一通孔耦合到所述第一导电层的所述第一部分，所述第一磁阻元件被磁化以产生第一磁取向，其中，所述第一导电层被设置在所述多层集成电路中的第二导电层的上方，并且所述第一导电层的所述第一部分被通过第二通孔耦合到所述第二导电层的第一部分； 第二磁阻元件，所述第二磁阻元件被设置在所述第一导电层的第二部分的上方并被通过第四通孔耦合到所述第一导电层的所述第二部分，所述第二磁阻元件被磁化以产生所述第一磁取向； 第三磁阻元件，所述第三磁阻元件被设置在所述第一导电层的所述第二部分的上方并被通过第七通孔耦合到所述第一导电层的所述第二部分，所述第三磁阻元件被磁化以产生不同于所述第一磁取向的第二磁取向； 第一金属跨接线互连件，所述第一金属跨接线互连件被设置在所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的上方，所述第一金属跨接线互连件被通过第五通孔耦合到所述第一磁阻元件并且被通过第六通孔耦合到所述第二磁阻元件； 第一金属填充物，所述第一金属填充物被设置在所述第一导电层的所述第一部分和所述第一磁阻元件的附近，所述第一金属填充物被设置在所述第二导电层的第二部分的上方并被通过第三通孔耦合到所述第二导电层的所述第二部分； 第二金属填充物，所述第二金属填充物被设置在所述第一导电层的所述第二部分和所述第三磁阻元件的附近，所述第二金属填充物被设置在所述第二导电层的所述第二部分的上方并被通过第八通孔耦合到所述第二导电层的所述第二部分； 其中，所述第一导电层的所述第二部分包括相反的第一边缘和第二边缘，所述第一金属填充物被与所述第一导电层的所述第二部分的所述第一边缘相邻设置，并且所述第二金属填充物被与所述第一导电层的所述第二部分的所述第二边缘相邻设置； 由施加到所述第一磁阻元件的物理输入产生的第一散热路径，所述第一散热路径延伸穿过所述第一通孔、所述第一导电层的所述第一部分、所述第二通孔、第一集成电路互连件、所述第一金属填充物、所述第三通孔、所述第二导电层的所述第二部分、所述第五通孔、所述第一金属跨接线互连件、所述第六通孔、所述第二磁阻元件、所述第四通孔和所述第一导电层的所述第二部分；和 由施加到所述第三磁阻元件的物理输入产生的第二散热路径，所述第二散热路径延伸穿过所述第七通孔、所述第一导电层的所述第二部分、所述第二金属填充物、所述第八通孔和所述第二导电层的所述第二部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人阿莱戈微系统有限责任公司，其通讯地址为：美国新罕布什尔州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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