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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利探测基板和平板探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002345.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权探测基板和平板探测器是由占香蜜;王振宇;杨祎凡;丁志;侯学成设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本探测基板和平板探测器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种探测基板，其中，包括：衬底基板、位于衬底基板上呈阵列排布的多个探测像素单元，探测像素单元包括：薄膜晶体管和位于薄膜晶体管远离衬底基板一侧的光电转换部，光电转换部远离衬底基板的一侧设置有偏置电压线；薄膜晶体管包括：有源层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均与有源层电连接，有源层包括沟道区；光电转换部靠近衬底基板的一端与第二电极电连接，光电转换部远离衬底基板的一端与对应的偏置电压线电连接；光电转换部与偏置电压线之间设置有至少一层介质层，介质层上形成有第一过孔，沟道区在衬底基板上的至少部分正投影位于第一过孔在衬底基板上的正投影以内。本公开还提供了一种平板探测器。

本发明授权探测基板和平板探测器在权利要求书中公布了：1.一种探测基板，其中，包括：衬底基板、位于衬底基板上呈阵列排布的多个探测像素单元，所述探测像素单元包括：薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的光电转换部，所述光电转换部远离所述衬底基板的一侧设置有偏置电压线； 所述薄膜晶体管包括：有源层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均与所述有源层电连接，所述有源层包括沟道区； 所述光电转换部靠近所述衬底基板的一端与所述第二电极电连接，所述光电转换部远离所述衬底基板的一端与对应的所述偏置电压线电连接； 所述光电转换部与所述偏置电压线之间设置有至少一层介质层，所述介质层上形成有第一通孔，所述偏置电压线覆盖所述第一通孔的底部和侧壁，且所述偏置电压线与所述薄膜晶体管之间彼此绝缘；所述沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影位于所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影以内； 所述探测像素单元还包括： 牺牲层，位于所述薄膜晶体管与所述光电转换部之间，所述沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影位于所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影以内，所述牺牲层的材料包括金属氧化物； 所述牺牲层与所述偏置电压线之间设置有第三钝化层；所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第三钝化层在所述衬底基板上的正投影以内； 所述光电转换部包括：读取电极和光电转换结构，所述光电转换结构位于所述读取电极远离所述衬底基板的一侧；所述读取电极在所述衬底基板上的正投影的边界位于所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影的边界以内。

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