杭州极弱磁场重大科技基础设施研究院徐素鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州极弱磁场重大科技基础设施研究院申请的专利基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116168768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310268821.2，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法是由徐素鹏;李睿;李帅设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法，属于分子激光冷却技术领域。首先构建三维分子磁光阱方案模型，再求解三维分子磁光阱方案模型的光学布洛赫方程，由此获得囚禁和冷却加速度；进一步优化光学布洛赫方程计算出的囚禁和冷却加速度，从而获得在预设速度和预设空间范围内能够同时具有囚禁和冷却的最佳参数点。本发明首次将贝叶斯优化算法引入到分子磁光阱设计中，解决了困扰分子激光冷却中的一大难题，即II型磁光阱中的亚多普勒加热效应。三维的蒙特卡洛模拟表明该方案可以将分子磁光阱的温度降低到40μK，其相空间密度提高两个量级，是实现分子玻色爱因斯坦凝聚的关键步骤。
本发明授权基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于人工智能算法的分子亚多普勒冷却磁光阱设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤A：构建三维分子磁光阱方案模型； 步骤B：求解三维分子磁光阱方案模型的光学布洛赫方程，由此获得囚禁和冷却加速度； 步骤C：优化光学布洛赫方程计算出的囚禁和冷却加速度，从而获得在预设速度和预设空间范围内能够同时具有囚禁和冷却的最佳参数点； 步骤C包括： 步骤C1：分别单独计算并获得磁光阱最佳的囚禁加速度和冷却加速度； 步骤C2：定义最终优化目标： ； 其中，、分别表示每一次迭代计算的囚禁力加速度和冷却加速度，、分别表示单独优化时磁光阱最佳的囚禁加速度和冷却加速度； 步骤C3：采用贝叶斯优化算法优化并寻找到最大的值及其对应的参数点； 步骤C4：计算步骤C3优化后参数点处的囚禁和冷却加速度，检验其是否符合预期，不符合预期时，返回步骤C3开始新一轮优化。
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