松下知识产权经营株式会社谷祐児获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利非水电解质二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116195091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180064108.5，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权非水电解质二次电池是由谷祐児;五岛佑治;新名史治设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本非水电解质二次电池在说明书摘要公布了：非水电解质二次电池具备正极、负极以及非水电解质。负极具有负极芯体和形成于负极芯体的至少一面的负极合剂层，负极的充电膨化率E1相对于放电膨化率E2的比率E1E2为1.05以上且低于1.15，且相对于负极合剂层中的负极活性物质的质量，硅材料的含量为3～12质量％。负极合剂层中，作为负极活性物质，优选包含石墨、第1硅材料SiO以及第2硅材料LSX。
本发明授权非水电解质二次电池在权利要求书中公布了：1.一种非水电解质二次电池，其中，所述非水电解质二次电池具备正极、负极以及非水电解质， 所述负极具有负极芯体和形成于所述负极芯体的至少一面的负极合剂层， 所述负极的充电膨化率E1相对于放电膨化率E2的比率E1E2为1.05以上且低于1.15，且相对于所述负极合剂层中的负极活性物质的质量，硅材料的含量为3～12质量％； 所述负极合剂层中，作为负极活性物质，包含：石墨、含有氧化硅相和分散在该氧化硅相中的Si的第1硅材料SiO、以及含有硅酸锂相和分散在该硅酸锂相中的Si的第2硅材料LSX， LSX的质量相对于SiO的质量的比为0.8～2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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