桂林理工大学崔璠获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利一种以路易斯酸碱对为原料制备低FA掺杂Cs基钙钛矿薄膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116199255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002133.1，技术领域涉及：C01G21/00；该发明授权一种以路易斯酸碱对为原料制备低FA掺杂Cs基钙钛矿薄膜方法是由崔璠;田楠;何庆贺;段诗宇;龙飞设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以路易斯酸碱对为原料制备低FA掺杂Cs基钙钛矿薄膜方法在说明书摘要公布了：纯α‑CsPbI2Br薄膜光热稳定性极佳，但湿度稳定性极差，在低湿度环境中就会从α相转变为δ相而失去光学活性。针对该问题，本发明设计了一种以PbI2·DMSO、PbBr2·DMSO加合物为原料，制备α‑Cs1‑xFAxPbI2Br0x0.5钙钛矿薄膜的方法。本发明以PbI2·DMSO、PbBr2·DMSO加合物为原料，克服了在传统钙钛矿薄膜制备过程中，当FA含量小于50％时，所得钙钛矿薄膜出现分相的问题。本发明合成过程工艺简单，不需要复杂的反溶剂处理或者加热工艺。最终本发明得到的α‑Cs1‑xFAxPbI2Br0x0.5薄膜晶粒尺寸大、结晶性好、致密性高，少量FA离子的掺杂大幅增加了该钙钛矿的容忍因子，湿度稳定性相比于CsPbI2Br明显增加；同时α‑Cs1‑xFAxPbI2Br0x0.5也保留了良好的热稳定性和光稳定性。
本发明授权一种以路易斯酸碱对为原料制备低FA掺杂Cs基钙钛矿薄膜方法在权利要求书中公布了：1.一种以PbI2·DMSO和PbBr2·DMSO加合物为原料制备α-Cs1-xFAxPbI2Br钙钛矿薄膜的方法，其特征在于主要步骤如下： 1将PbI2·DMSO、PbBr2·DMSO和CsI、FAI混合，加入到N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂中加热搅拌至澄清，得到前驱体溶液； 2将步骤1所述前驱体溶液旋涂到基底上，旋涂完成后，得到前驱体薄膜； 3将步骤2所述前驱体薄膜进行退火处理，退火完成后，即得到α-Cs1-xFAxPbI2Br钙钛矿薄膜，其中0x0.5，物相为α相，晶粒大小为0.1～1.0μm，厚度为300～400nm，表面平整且致密无孔洞。
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