苏州晶湛半导体有限公司向鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116235302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104572.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制备方法是由向鹏;程凯设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底；依次层叠设置于所述衬底上的外延层以及外延结构；其中，所述外延层中掺杂有掺杂元素，且在形成过程中，通过在所述外延层上形成牺牲层并反复刻蚀所述牺牲层，以使所述外延层中的掺杂元素的浓度低于一预设值。该制备方法用于制备该半导体结构。本申请通过在外延层上形成牺牲层并反复刻蚀牺牲层，以使外延层中的掺杂元素的浓度低于一预设值，从而防止外延层中的掺杂元素向上析出进入上层结构，保证沟道层电子的迁移率，以及提高器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： S1：在衬底上形成第一外延结构，所述第一外延结构中掺杂有掺杂元素； S2：在所述第一外延结构上形成牺牲层，其中，所述牺牲层的材料包括InN、InGaN、InAlN、InAlGaN、GaN中的一种或多种组合； S3：刻蚀所述牺牲层； S4：在完成刻蚀所述牺牲层的所述第一外延结构上继续生长第二外延结构； 其中，在进入步骤S4前，重复N次步骤S2和S3，直至所述第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于预设值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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