中国科学院微电子研究所毕津顺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利纳米尺度真空沟道三极管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211665172.1，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权纳米尺度真空沟道三极管结构及其制备方法是由毕津顺;范林杰;王健健;赵碧瑶;韩婷婷;田密;朱伟强设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米尺度真空沟道三极管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种纳米尺度真空沟道三极管结构及制备方法，包括：衬底；基极，生长于衬底表面第一区域；发射极，生长于衬底表面第二区域；其中，第一区域与第二区域位于衬底的同一表面且不相交；氧化层，生长于基极表面第三区域，第三区域为第一区域内部分区域；集电极电极，生长于氧化层的表面；其中，氧化层的宽度小于集电极电极的宽度，在氧化层两侧形成真空沟道；发射极电极，生长于发射极的表面；基极电极，生长于基极表面第四区域，第四区域为第一区域内部分区域且与第三区域不相交。
本发明授权纳米尺度真空沟道三极管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米尺度真空沟道三极管结构，包括： 衬底1； 基极2，生长于衬底1表面第一区域； 发射极3，生长于衬底1表面第二区域；其中，所述第一区域与所述第二区域位于所述衬底1的同一表面且不相交； 氧化层4，生长于基极2表面第三区域，其中，所述第三区域为所述第一区域内部分区域； 集电极电极5，生长于氧化层4的表面；其中，氧化层4的宽度小于集电极电极5的宽度，在氧化层4两侧形成真空沟道； 发射极电极6，生长于发射极3的表面； 基极电极7，生长于基极2表面第四区域，其中，所述第四区域为所述第一区域内部分区域且与所述第三区域不相交。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励