胜高股份有限公司藤濑淳获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利硅晶片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211620770.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权硅晶片及其制造方法是由藤濑淳;前田学设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅晶片及其制造方法在说明书摘要公布了：提供适合于IGBT用途的硅晶片及该硅晶片的制造方法，该硅晶片是高电阻且电阻波动小、并且可抑制滑移的产生的硅晶片。硅晶片，其中，在硅晶片的厚度方向的氧浓度分布中，氧浓度比硅晶片的氧浓度ASTMF121,1979高1.5×1017原子cm3以上的高氧浓度区域只存在于背面表层部，从硅晶片的背面的最表面到厚度方向10μm为止的区域的平均氧浓度为4.0×1017原子cm3以上且15.0×1017原子cm3以下。
本发明授权硅晶片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.硅晶片，其中，在硅晶片的厚度方向的氧浓度分布中，氧浓度比所述硅晶片的氧浓度高1.5×1017原子cm3以上的高氧浓度区域只存于背面表层部，所述氧浓度依据ASTMF121,1979， 从所述硅晶片的背面的最表面到厚度方向10μm为止的区域的平均氧浓度为4.0×1017原子cm3以上且15.0×1017原子cm3以下， 所述高氧浓度区域的厚度为10μm以上且30μm以下。
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