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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro-LED全彩化器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310188414.0，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro-LED全彩化器件是由吴挺竹;严梓峻;林岳;王树立;刘时彪;赖寿强;杨晓;吕毅军;陈忠设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro-LED全彩化器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro‑LED全彩化器件。本发明方法利用原子层沉积技术，在量子点发光层表面沉积抗蚀保护层，可有效提高量子点发光层的光电性能和环境稳定性，避免后序因光刻技术和刻蚀技术对量子点发光层造成不必要的损伤。利用本发明方法制备的高性能荧光色转换层，与Micro‑LED发光芯片阵列相结合，实现性能优异的Micro‑LED全彩化器件。该技术方案要求简单、技术难度低、制备速度快、基底选择多样性，且有利于大规模生产与制造。此外，所制备的荧光色转换层对外界环境变化光照、湿度、温度等具有优异的稳定性，可大大提高器件的使用寿命。

本发明授权用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro-LED全彩化器件在权利要求书中公布了：1.一种用于量子点无损光刻图案化的方法，其特征在于：包括如下步骤： 1表面改性层的制备：利用原子层沉积技术，在基板表面沉积一层透明的表面改性层，所述表面改性层为金属氧化物或金属氮化物； 2单色量子点发光层的制备：在表面均匀涂覆一种颜色的量子点溶液，干燥后在表面上形成一种颜色的量子点发光薄膜，作为单色量子点发光层； 3抗蚀保护层的制备：利用原子层沉积技术，在单色量子点发光层表面沉积一层透明的抗蚀保护层，所述抗蚀保护层为金属氧化物或金属氮化物； 4量子点发光层的图案化制备：利用光刻技术和刻蚀技术，得到量子点溶液对应颜色的子像素发光单元，子像素发光单元呈图案化分布构成图案化的所述单色量子点发光层； 5多色量子点发光层的制备：重复步骤2-4得到图案化的多色量子点发光层；所述多色量子点发光层上布置有图案化的红、绿、蓝三色量子点子像素发光单元，且多色量子点发光层表面覆盖有所述抗蚀保护层； 所述量子点溶液的首次涂覆为在表面改性层上，再次涂覆为在表面改性层和已形成的子像素发光单元上的光刻胶表面； 所述抗蚀保护层隔绝了光刻胶与量子点发光薄膜的直接接触；基于原子层沉积技术的气相化学反应，高能态的气体反应源会穿透量子点发光薄膜之间的孔隙，与内部量子点表面产生化学交联作用，钝化量子点表面缺陷；生成的抗蚀保护层除了覆盖在量子点发光薄膜表面，也会填充量子点之间的孔隙。

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