中国科学院微电子研究所高超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116360129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310304061.6,技术领域涉及:G02F1/03;该发明授权用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统是由高超;董登峰;周维虎;纪荣祎;石俊凯;潘映伶设计研发完成,并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统在说明书摘要公布了:本公开提出了一种用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统。该电光相位调制器,包括:壳体,内置有容纳空间,壳体上开设有入射口和出射口,偏振测量光由入射口射入容纳空间;调制晶体,设置在容纳空间内,被配置为调制来自入射口的偏振测量光,偏振测量光的偏振方向与调制晶体的调制电场方向成45°;以及四分之一波片,位于调制晶体和出射口之间,四分之一波片的光轴与调制晶体的调制电场方向成45°,偏振测量光经四分之一波片后由出射口射出至待测物上,待测物将偏振测量光经由四分之一波片反射回调制晶体,使得反射回调制晶体的偏振测量光与由入射口射入调制晶体的偏振测量光的偏振分量方向变化90°。
本发明授权用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统在权利要求书中公布了:1.一种用于位移测量系统的电光相位调制器,包括: 壳体,内置有容纳空间,所述壳体上开设有入射口和出射口,偏振测量光由所述入射口射入所述容纳空间; 调制晶体,设置在所述容纳空间内,所述偏振测量光的偏振方向与所述调制晶体的调制电场方向成45°;以及 四分之一波片,位于所述调制晶体和所述出射口之间,所述四分之一波片的光轴与所述调制晶体的调制电场方向成45°,所述偏振测量光经所述四分之一波片后由所述出射口射出至待测物上,所述待测物将所述偏振测量光经由所述四分之一波片反射回所述调制晶体,使得所述反射回所述调制晶体的偏振测量光与由所述入射口射入所述调制晶体的偏振测量光的偏振分量方向变化90°; 温度调节单元,被配置为调节所述容纳空间的温度,所述温度调节单元包括: 温度传感器,被配置为检测所述容纳空间的温度; 热电制冷器;以及 温度自补偿控制电路,分别与所述温度传感器和所述温度传感器连接,被配置为基于所述温度传感器检测的温度控制所述热电制冷器制冷或制热; 其中,所述调制晶体被配置为对所述偏振测量光两个互相正交的偏振分量分别进行调制。
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