中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种氮化镓晶圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211507735.4，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权一种氮化镓晶圆加工工艺是由严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓晶圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓晶圆加工工艺，属于半导体领域。一种氮化镓晶圆加工工艺，包括以下步骤：在陶瓷载板上形成沉积层；将氮化镓晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆固定连接在沉积层上；在晶圆的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板。
本发明授权一种氮化镓晶圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤： 在陶瓷载板上形成沉积层； 将所述晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得所述晶圆固定连接在沉积层上； 在晶圆的正面进行金属离子注入与离子活化制程； 在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板； 在高温工艺完成后，通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板； 在所述晶圆的背面布置铜种子层，并通过光阻覆盖所述晶圆的切割道处的所述的铜种子层；在未被光阻覆盖的铜种子层上形成铜金属块；去除光阻，并蚀刻切割道上方的铜种子层； 在所述铜种子层上形成铜金属块； 通过激光进一步切割所述切割道下端的部分晶圆； 将所述晶圆转移到模框上，并去除键合剂，移除所述的玻璃载板； 对所述晶圆进行裂片形成晶粒。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科苑路16号东方科技大厦1905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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